崗位職責
61 進行根本原因分析（RCA）：領導對內部資格測試和客戶退貨中的 MOSFET 故障（例如，電氣過應力（EOS）、靜電放電（ESD）、柵極氧化層完整性、閂鎖、熱失控等）進行系統(tǒng)性調查。
61 使用先進的失效分析工具：操作并解讀來自各種失效分析設備的數據，包括：
電氣特性分析（曲線追蹤儀、半導體參數分析儀）
61 非破壞性分析（X 射線、C-SAM、光學顯微鏡）
61 去封裝技術（去封裝、濕法/層去層、橫截面分析）
61 分析工具（掃描電子顯微鏡、能譜儀、聚焦離子束、透射電子顯微鏡、光學束誘導電阻變化、電致發(fā)光顯微鏡、熱成像）
61 記錄并報告結果：準備詳細的失效分析報告，包含清晰的結論、支持數據以及可操作的糾正措施建議。
61 跨部門協(xié)作：與研發(fā)、產品工程、工藝集成和質量團隊溝通分析結果，并實施糾正和預防措施（CAPA）。61 開發(fā)失效分析方法：為適應先進的 MOSFET 技術（如溝槽型、SGT、分裂柵、超結型）開發(fā)新的失效分析技術及實踐。
61 支持可靠性測試：協(xié)助分析可靠性測試中的失效情況（高溫反向偏置、高溫反向偏置加濕熱、交流/直流高溫工作壽命等），并將失效分析結果與可靠性模型相關聯(lián)。
61 持續(xù)改進：主動識別反復出現(xiàn)的失效趨勢，并與工程團隊合作，以提高器件的穩(wěn)健性、測試覆蓋率和制造工藝。


崗位要求：
61 教育背景：電氣工程、材料科學、物理學或相關領域的學士或碩士學位。
61 經驗：在半導體行業(yè)擁有 5 年以上實際失效分析經驗，尤其側重于功率器件，特別是 MOSFET。

技術技能：
61 對 MOSFET 器件物理、結構和常見失效機制有深刻理解。
61 熟練掌握半導體失效分析工具（X 射線、C-SAM、光學顯微鏡、去封裝、切片等）的實際操作。
61 精通電氣特性測試和失效隔離技術。
61 熟悉功率器件的可靠性測試方法和認證標準（AEC-Q101、JEDEC 等）。
61 分析能力：具備出色的解決問題能力，能夠系統(tǒng)地進行根本原因分析。
61 溝通能力：具備出色的書面和口頭溝通能力，能夠向不同受眾清晰地傳達復雜的工程技術信息。________________________________________
優(yōu)先考慮的資格條件
61 具有先進 MOSFET 技術（如溝槽 MOSFET、屏蔽柵溝槽（SGT）、分柵或超結 MOSFET）方面的經驗。